Transistor bipolar MMBT5089
Características del transistor MMBT5089
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 25 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 30 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 3 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 0.05 A
- Disipación de Potencia Máxima: 0.35 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 400 a 1200
- Frecuencia máxima de trabajo: 50 MHz
- Figura de ruido máxima: 2 dB
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: SOT-23
- These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant
Diagrama de pines del MMBT5089
Marcado
Sustitución y equivalentes para el transistor MMBT5089
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com