Transistor bipolar MMBT3906TT1G

Características del transistor MMBT3906TT1G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -40 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -40 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -0.2 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.15 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 300
  • Frecuencia máxima de trabajo: 250 MHz
  • Figura de ruido máxima: 5 dB
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-416
  • El MMBT3906TT1G es la versión sin plomo del transistor MMBT3906TT1

Diagrama de pines del MMBT3906TT1G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Sustitución y equivalentes para el transistor MMBT3906TT1G

Puede sustituir el MMBT3906TT1G por el MMBT3906TT1.
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