Transistor bipolar MJE18008G

Características del transistor MJE18008G

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 450 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 1000 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 9 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 125 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 14 a 34
  • Frecuencia máxima de trabajo: 13 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • El MJE18008G es la versión sin plomo del transistor MJE18008

Diagrama de pines del MJE18008G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJE18008G

Puede sustituir el MJE18008G por el MJE18008, MJF18008 o MJF18008G.
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