Transistor bipolar MJE13009G

Características del transistor MJE13009G

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 400 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 700 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 9 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 12 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 100 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 8 a 40
  • Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • El MJE13009G es la versión sin plomo del transistor MJE13009

Diagrama de pines del MJE13009G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJE13009G

Puede sustituir el MJE13009G por el FJP13009, KSE13009 o MJE13009.
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