Transistor bipolar MJD2955G
Características del transistor MJD2955G
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -70 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -10 A
- Disipación de Potencia Máxima: 20 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 20 a 100
- Frecuencia máxima de trabajo: 2 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-252
- Electrically Similar to the Popular MJE2955T transistor
- El MJD2955G es la versión sin plomo del transistor MJD2955
Diagrama de pines del MJD2955G
Marcado
Transistor NPN complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor MJD2955G
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