Transistor bipolar MJD122

Características del transistor MJD122

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 20 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000 a 12000
  • Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-252
  • Electrically Similar to the Popular TIP122 transistor

Diagrama de pines del MJD122

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Marcado

El transistor MJD122 está marcado como "J122".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del MJD122 es el MJD127.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJD122

Puede sustituir el MJD122 por el MJD122G, MJD122T4 o MJD122T4G.

Versión sin plomo

El transistor MJD122G es la versión sin plomo del MJD122.
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