Transistor bipolar MJ8502

Características del transistor MJ8502

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 700 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 1200 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 8 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 150 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 8
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del MJ8502

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJ8502

Puede sustituir el MJ8502 por el BUX48C, MJ12004, MJ12005, MJ8503, MJ8504 o MJ8505.
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