Transistor bipolar MJ802G

Características del transistor MJ802G

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 90 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 4 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 30 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 200 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 25 a 100
  • Frecuencia máxima de trabajo: 2 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3
  • El MJ802G es la versión sin plomo del transistor MJ802

Diagrama de pines del MJ802G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del MJ802G es el MJ4502G.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJ802G

Puede sustituir el MJ802G por el 2N5671, 2N5672, MJ802 o NTE181.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com