Transistor bipolar MG6331-R

Características del transistor MG6331-R

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 260 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 260 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 18 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 300 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 70 a 140
  • Frecuencia máxima de trabajo: 60 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3P

Diagrama de pines del MG6331-R

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del MG6331-R es el MG9411-R.

Sustitución y equivalentes para el transistor MG6331-R

Puede sustituir el MG6331-R por el 2SD1313.
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