Transistor bipolar M8550-D

Características del transistor M8550-D

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -25 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -40 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.625 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 160 a 300
  • Frecuencia máxima de trabajo: 150 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92

Diagrama de pines del M8550-D

El M8550-D se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando hacia abajo, los tres cables que salen del transistor son, de izquierda a derecha, el emisor, la base y el colector.
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor M8550-D puede tener una ganancia de corriente de 160 a 300. La ganancia del M8550 estará en el rango de 80 a 300, para el M8550-B estará en el rango de 80 a 160, para el M8550-C estará en el rango de 120 a 200.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del M8550-D es el M8050-D.

Versión SMD del transistor M8550-D

El MMBT3702 (SOT-23) es la versión SMD del transistor M8550-D.

Sustitución y equivalentes para el transistor M8550-D

Puede sustituir el M8550-D por el 2SB564A, KSB564A, MPS6651, MPS6651G, MPS6652, MPS6652G, MPS750, MPS750G, MPS8550, MPS8550D, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW51G, SS8550, SS8550D, ZTX549, ZTX550 o ZTX949.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com