Transistor bipolar M8050

Características del transistor M8050

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 25 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 40 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.625 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 120 a 300
  • Frecuencia máxima de trabajo: 150 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92

Diagrama de pines del M8050

El M8050 se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando hacia abajo, los tres cables que salen del transistor son, de izquierda a derecha, el emisor, la base y el colector.
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor M8050 puede tener una ganancia de corriente de 120 a 300. La ganancia del M8050-C estará en el rango de 120 a 200, para el M8050-D estará en el rango de 160 a 300.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del M8050 es el M8550.

Versión SMD del transistor M8050

El FMMT449 (SOT-23) es la versión SMD del transistor M8050.

Sustitución y equivalentes para el transistor M8050

Puede sustituir el M8050 por el 2SD471A, KSD471A, MPS650, MPS650G, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPS8050, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, PN2222A, SS8050, ZTX449 o ZTX450.
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