Transistor bipolar KTD882-GR
Características del transistor KTD882-GR
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 30 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 40 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 3 A
- Disipación de Potencia Máxima: 10 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 200 a 400
- Frecuencia máxima de trabajo: 90 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-126
- Electrically Similar to the Popular 2SD882GR transistor
Diagrama de pines del KTD882-GR
Clasificación de hFE
Transistor PNP complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor KTD882-GR
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