Transistor bipolar KTD1146O

Características del transistor KTD1146O

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 20 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 40 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.625 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 120 a 240
  • Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92

Diagrama de pines del KTD1146O

El KTD1146O se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando hacia abajo, los tres cables que salen del transistor son, de izquierda a derecha, el emisor, el colector y la base.
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KTD1146O puede tener una ganancia de corriente de 120 a 240. La ganancia del KTD1146 estará en el rango de 120 a 700, para el KTD1146GR estará en el rango de 350 a 700, para el KTD1146Y estará en el rango de 200 a 400.
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