Transistor bipolar KTC3211O

Características del transistor KTC3211O

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 25 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 40 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.625 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 85 a 160
  • Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92

Diagrama de pines del KTC3211O

El KTC3211O se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando hacia abajo, los tres cables que salen del transistor son, de izquierda a derecha, el emisor, el colector y la base.
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KTC3211O puede tener una ganancia de corriente de 85 a 160. La ganancia del KTC3211 estará en el rango de 85 a 300, para el KTC3211GR estará en el rango de 160 a 300, para el KTC3211Y estará en el rango de 120 a 200.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del KTC3211O es el KTA1283O.

Versión SMD del transistor KTC3211O

El MPS8050S (SOT-23) y MPS8050S-B (SOT-23) es la versión SMD del transistor KTC3211O.

Sustitución y equivalentes para el transistor KTC3211O

Puede sustituir el KTC3211O por el 2SC2655 o KTC3209.
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