Transistor bipolar KSD227G

Características del transistor KSD227G

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 25 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 30 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 0.3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.4 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 200 a 400
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SD227G transistor

Diagrama de pines del KSD227G

El KSD227G se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando hacia abajo, los tres cables que salen del transistor son, de izquierda a derecha, el emisor, la base y el colector.
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KSD227G puede tener una ganancia de corriente de 200 a 400. La ganancia del KSD227 estará en el rango de 70 a 400, para el KSD227O estará en el rango de 70 a 140, para el KSD227Y estará en el rango de 120 a 240.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del KSD227G es el KSA642G.

Versión SMD del transistor KSD227G

El MMBT4124 (SOT-23) y MMST4124 (SOT-323) es la versión SMD del transistor KSD227G.

Transistor KSD227G en envase TO-92

El 2SD227G es la versión TO-92 del KSD227G.

Sustitución y equivalentes para el transistor KSD227G

Puede sustituir el KSD227G por el 2N5172, 2SD227, 2SD227G, 2SD471A, 2SD471AG, KSD471A, KSD471AG, MPS3415, MPS3417, MPS650, MPS650G, MPS6532, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, NTE192, PN100 o ZTX690B.
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