Transistor bipolar KSC5030-O
Características del transistor KSC5030-O
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 800 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 1100 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 6 A
- Disipación de Potencia Máxima: 100 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 20 a 40
- Frecuencia máxima de trabajo: 15 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-3P
Diagrama de pines del KSC5030-O
Clasificación de hFE
Sustitución y equivalentes para el transistor KSC5030-O
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