Transistor bipolar KSC5026M-N

Características del transistor KSC5026M-N

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 800 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 1100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 20 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 10 a 20
  • Frecuencia máxima de trabajo: 15 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular KSC5026-N transistor

Diagrama de pines del KSC5026M-N

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KSC5026M-N puede tener una ganancia de corriente de 10 a 20. La ganancia del KSC5026M estará en el rango de 10 a 40, para el KSC5026M-O estará en el rango de 20 a 40, para el KSC5026M-R estará en el rango de 15 a 30.
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