Transistor bipolar HSD1609S-D

Características del transistor HSD1609S-D

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 160 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 160 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 0.1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.9 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 160 a 320
  • Frecuencia máxima de trabajo: 140 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -50 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SD1609-D transistor

Diagrama de pines del HSD1609S-D

El HSD1609S-D se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando hacia abajo, los tres cables que salen del transistor son, de izquierda a derecha, el emisor, el colector y la base.
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor HSD1609S-D puede tener una ganancia de corriente de 160 a 320. La ganancia del HSD1609S estará en el rango de 60 a 320, para el HSD1609S-B estará en el rango de 60 a 120, para el HSD1609S-C estará en el rango de 100 a 200.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del HSD1609S-D es el HSB1109S-D.

Sustitución y equivalentes para el transistor HSD1609S-D

Puede sustituir el HSD1609S-D por el 2SC2230, 2SC2230A, 2SC2383, 2SC2383-Y, 2SC3228, 2SC3228-Y, 2SC3332, 2SC3467, 2SC3467-F, 2SC3468, 2SC3468-F, 2SC3478, 2SC3478A, KSC2383, KSC2383Y, KTC3228 o KTC3228Y.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com