Transistor bipolar HSD1609

Características del transistor HSD1609

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 160 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 160 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 0.1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 1.25 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 320
  • Frecuencia máxima de trabajo: 145 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -50 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SD1609 transistor

Diagrama de pines del HSD1609

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor HSD1609 puede tener una ganancia de corriente de 60 a 320. La ganancia del HSD1609-B estará en el rango de 60 a 120, para el HSD1609-C estará en el rango de 100 a 200, para el HSD1609-D estará en el rango de 160 a 320.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del HSD1609 es el HSB1109.

Sustitución y equivalentes para el transistor HSD1609

Puede sustituir el HSD1609 por el 2SC2258, 2SC2690A, 2SC3416, 2SC3417, 2SC3502, 2SC3503, 2SC3600, 2SC3601, 2SC3788, 2SC3789, 2SC3790, 2SC3955, 2SC3956, 2SD1609, 2SD1610, BD127, BD128, KSC2258, KSC2258A, KSC2690A, KSC3502 o KSC3503.
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