Transistor bipolar FJX945G

Características del transistor FJX945G

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 50 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 0.15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.2 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 200 a 400
  • Frecuencia máxima de trabajo: 300 MHz
  • Figura de ruido máxima: 4 dB
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-323

Diagrama de pines del FJX945G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor FJX945G puede tener una ganancia de corriente de 200 a 400. La ganancia del FJX945 estará en el rango de 70 a 700, para el FJX945L estará en el rango de 350 a 700, para el FJX945O estará en el rango de 70 a 140, para el FJX945Y estará en el rango de 120 a 240.

Marcado

El transistor FJX945G está marcado como "SAG".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del FJX945G es el FJX733G.

Sustitución y equivalentes para el transistor FJX945G

Puede sustituir el FJX945G por el 2SC4116 o 2SC4116-GR.
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