Transistor bipolar BDW51

Características del transistor BDW51

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 45 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 45 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 125 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 20 a 150
  • Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del BDW51

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BDW51 es el BDW52.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDW51

Puede sustituir el BDW51 por el 2N6471, 2N6472, KD502 o KD503.
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