Transistor bipolar BD435G

Características del transistor BD435G

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 32 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 32 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 4 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 36 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 130
  • Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del BD435G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD435G

Puede sustituir el BD435G por el 2N4921, 2N4921G, 2N4922, 2N4922G, BD187, BD189, BD435, BD437, BD437G, BD439, BD439G, BD785, BD787, BD787G, MJE220, MJE221, MJE222, MJE223, MJE224 o MJE225.

Equivalent

Same transistor is also available in:
  • TO-3P package, BD250C: 125 watts
  • TO-126 package, BD435: 36 watts
  • TO-126 package, BD438: 36 watts
  • TO-126 package, BD438G: 36 watts
  • TO-126 package, BD441: 36 watts
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com