Transistor bipolar BD159

Características del transistor BD159

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 350 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 375 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 0.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 20 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 30 a 240
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del BD159

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD159

Puede sustituir el BD159 por el 2N5657, 2N5657G, 2SC2899 o BD129.
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