Transistor bipolar BC850AW

Características del transistor BC850AW

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 45 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 50 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 0.1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.2 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 110 a 220
  • Frecuencia máxima de trabajo: 150 MHz
  • Figura de ruido máxima: 1.2 dB
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-323

Diagrama de pines del BC850AW

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor BC850AW puede tener una ganancia de corriente de 110 a 220. La ganancia del BC850BW estará en el rango de 200 a 450, para el BC850CW estará en el rango de 420 a 800, para el BC850W estará en el rango de 110 a 800.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BC850AW es el BC860AW.

Sustitución y equivalentes para el transistor BC850AW

Puede sustituir el BC850AW por el 2SC4116, BC817-16W, BC817W, BC846AW, BC846W, BC847AW, BC847W o FJX945.
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