Transistor bipolar 2STR1160

Características del transistor 2STR1160

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.5 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 180 a 560
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-23

Diagrama de pines del 2STR1160

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2STR1160 es el 2STR2160.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2STR1160

Puede sustituir el 2STR1160 por el FMMT620.
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