Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -45 to +150 °C
Encapsulado: TO-3P
Diagrama de pines del 2SD895-E
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.
Clasificación de hFE
El transistor 2SD895-E puede tener una ganancia de corriente de 100 a 200. La ganancia del 2SD895 estará en el rango de 60 a 200, para el 2SD895-D estará en el rango de 60 a 120.
Marcado
A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD895-E puede estar marcado sólo como "D895-E".
Transistor PNP complementario
El transistor PNP complementario del 2SD895-E es el 2SB775-E.
Versión SMD del transistor 2SD895-E
El BDP953 (SOT-223) es la versión SMD del transistor 2SD895-E.
Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD895-E