Transistor bipolar 2SD261O

Características del transistor 2SD261O

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 20 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 40 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 0.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.5 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 70 a 140
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92

Diagrama de pines del 2SD261O

El 2SD261O se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando hacia abajo, los tres cables que salen del transistor son, de izquierda a derecha, el emisor, la base y el colector.
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD261O puede tener una ganancia de corriente de 70 a 140. La ganancia del 2SD261 estará en el rango de 40 a 400, para el 2SD261G estará en el rango de 200 a 400, para el 2SD261R estará en el rango de 40 a 80, para el 2SD261Y estará en el rango de 120 a 240.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD261O puede estar marcado sólo como "D261O".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD261O es el 2SA643O.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD261O

Puede sustituir el 2SD261O por el 2N4400, 2SC1209, 2SD471A, 2SD471AO, KTC9013, MPS3705, MPS3706, MPS6532, MPS6560, MPS6560G, MPS6561, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, S9013 o SS9013.
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