Transistor bipolar 2SD1681-Q

Características del transistor 2SD1681-Q

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 18 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 20 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1.2 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 10 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 70 a 140
  • Frecuencia máxima de trabajo: 150 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +125 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SD1681-Q

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD1681-Q puede tener una ganancia de corriente de 70 a 140. La ganancia del 2SD1681 estará en el rango de 70 a 400, para el 2SD1681-R estará en el rango de 100 a 200, para el 2SD1681-S estará en el rango de 140 a 280, para el 2SD1681-T estará en el rango de 200 a 400.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD1681-Q puede estar marcado sólo como "D1681-Q".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD1681-Q es el 2SB1141-Q.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD1681-Q

Puede sustituir el 2SD1681-Q por el 2SC1162, 2SC1368, 2SD439, 2SD793, 2SD882, BD185, KSD882, KSE200, KSH882, KTC2804, KTC2804-O, MJE200, MJE200G o MJE520.
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