Transistor bipolar 2SD1621-R

Características del transistor 2SD1621-R

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 25 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 30 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 2 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.5 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 150 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-89

Diagrama de pines del 2SD1621-R

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD1621-R puede tener una ganancia de corriente de 100 a 200. La ganancia del 2SD1621 estará en el rango de 100 a 560, para el 2SD1621-S estará en el rango de 140 a 280, para el 2SD1621-T estará en el rango de 200 a 400, para el 2SD1621-U estará en el rango de 280 a 560.

Marcado

El transistor 2SD1621-R está marcado como "DDR".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD1621-R es el 2SB1121-R.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD1621-R

Puede sustituir el 2SD1621-R por el 2SC2873, 2SD1623, 2SD1623-R, 2SD1624 o 2SD1624-R.
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