Transistor bipolar 2SD1615-GM

Características del transistor 2SD1615-GM

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 50 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 2 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 135 a 270
  • Frecuencia máxima de trabajo: 160 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-89

Diagrama de pines del 2SD1615-GM

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD1615-GM puede tener una ganancia de corriente de 135 a 270. La ganancia del 2SD1615 estará en el rango de 135 a 600, para el 2SD1615-GK estará en el rango de 300 a 600, para el 2SD1615-GL estará en el rango de 200 a 400.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD1615-GM puede estar marcado sólo como "D1615-GM".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD1615-GM es el 2SB1115-YM.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD1615-GM

Puede sustituir el 2SD1615-GM por el 2SC3444, 2SD1615A, 2SD1615A-GQ, 2SD1622, 2SD1623, 2SD1624, 2SD874A, BSR41, BSR43 o KTC4378.
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