Transistor bipolar 2SD1264A-P

Características del transistor 2SD1264A-P

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 180 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 200 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 2 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 30 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 240
  • Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F

Diagrama de pines del 2SD1264A-P

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD1264A-P puede tener una ganancia de corriente de 100 a 240. La ganancia del 2SD1264A estará en el rango de 60 a 240, para el 2SD1264A-Q estará en el rango de 60 a 140.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD1264A-P puede estar marcado sólo como "D1264A-P".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD1264A-P es el 2SB940A-P.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD1264A-P

Puede sustituir el 2SD1264A-P por el 2SC4382, 2SC4883A, 2SC5171, 2SD772A, 2SD772B, 2SD792A, 2SD792B, KTD2061, MJE15032, MJE15032G, MJE15034 o MJE15034G.
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