Transistor bipolar 2SD1250

Características del transistor 2SD1250

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -150 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -200 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -2 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 30 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 240
  • Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-252

Diagrama de pines del 2SD1250

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD1250 puede tener una ganancia de corriente de 60 a 240. La ganancia del 2SD1250-P estará en el rango de 100 a 240, para el 2SD1250-Q estará en el rango de 60 a 140.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD1250 puede estar marcado sólo como "D1250".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SD1250 es el 2SB928.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD1250

Puede sustituir el 2SD1250 por el 2SB928, 2SB928A o 2SD1250A.
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