Transistor bipolar 2SB930A-Q

Características del transistor 2SB930A-Q

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -4 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 70 a 150
  • Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-252

Diagrama de pines del 2SB930A-Q

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB930A-Q puede tener una ganancia de corriente de 70 a 150. La ganancia del 2SB930A estará en el rango de 70 a 250, para el 2SB930A-P estará en el rango de 120 a 250.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB930A-Q puede estar marcado sólo como "B930A-Q".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB930A-Q es el 2SD1253A-Q.

Versión SMD del transistor 2SB930A-Q

El BDP952 (SOT-223) es la versión SMD del transistor 2SB930A-Q.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB930A-Q

Puede sustituir el 2SB930A-Q por el KTA1042D.
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