Transistor bipolar 2SB768-M
Características del transistor 2SB768-M
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -200 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -2 A
- Disipación de Potencia Máxima: 2 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 80
- Frecuencia máxima de trabajo: 10 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-252
Diagrama de pines del 2SB768-M
Clasificación de hFE
Marcado
Transistor NPN complementario
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