Transistor bipolar 2SB710A-Q

Características del transistor 2SB710A-Q

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -50 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -0.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.2 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 85 a 170
  • Frecuencia máxima de trabajo: 200 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-23

Diagrama de pines del 2SB710A-Q

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB710A-Q puede tener una ganancia de corriente de 85 a 170. La ganancia del 2SB710A estará en el rango de 85 a 340, para el 2SB710A-R estará en el rango de 120 a 240, para el 2SB710A-S estará en el rango de 170 a 340.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB710A-Q puede estar marcado sólo como "B710A-Q".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB710A-Q es el 2SD602A-Q.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB710A-Q

Puede sustituir el 2SB710A-Q por el 2SA1313, 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, FMMTA55, FMMTA56, KST55, KST56, MMBT4354 o MMBT4356.
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