Transistor bipolar 2SB560-G

Características del transistor 2SB560-G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -0.7 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.9 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 280 a 560
  • Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92MOD

Diagrama de pines del 2SB560-G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB560-G puede tener una ganancia de corriente de 280 a 560. La ganancia del 2SB560 estará en el rango de 60 a 560, para el 2SB560-D estará en el rango de 60 a 120, para el 2SB560-E estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB560-F estará en el rango de 160 a 320.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB560-G puede estar marcado sólo como "B560-G".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB560-G es el 2SD438-G.
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