Transistor bipolar 2SB1126

Características del transistor 2SB1126

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -50 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -10 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.5 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 4000
  • Frecuencia máxima de trabajo: 120 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-89

Diagrama de pines del 2SB1126

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Marcado

El transistor 2SB1126 está marcado como "BI".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1126 es el 2SD1626.
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