Transistor bipolar 2SB1085

Características del transistor 2SB1085

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -120 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -120 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 20 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 320
  • Frecuencia máxima de trabajo: 50 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del 2SB1085

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1085 puede tener una ganancia de corriente de 60 a 320. La ganancia del 2SB1085-D estará en el rango de 60 a 120, para el 2SB1085-E estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB1085-F estará en el rango de 160 a 320.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1085 puede estar marcado sólo como "B1085".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1085 es el 2SD1562.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1085

Puede sustituir el 2SB1085 por el 2SA1006, 2SA1006A, 2SA1078, 2SA1667, 2SA1668, 2SA985, 2SA985A, 2SB547, BD956, BDT88, BDT88F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 o MJF15031G.
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