Transistor bipolar 2SA642G

Características del transistor 2SA642G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -25 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -30 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -0.3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.4 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 200 a 400
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92

Diagrama de pines del 2SA642G

El 2SA642G se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando hacia abajo, los tres cables que salen del transistor son, de izquierda a derecha, el emisor, la base y el colector.
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SA642G puede tener una ganancia de corriente de 200 a 400. La ganancia del 2SA642 estará en el rango de 70 a 400, para el 2SA642O estará en el rango de 70 a 140, para el 2SA642Y estará en el rango de 120 a 240.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SA642G puede estar marcado sólo como "A642G".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SA642G es el 2SD227G.

Transistor 2SA642G en envase TO-92

El KSA642G es la versión TO-92 del 2SA642G.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SA642G

Puede sustituir el 2SA642G por el 2SB564A, 2SB564AGR, BCX79, KSA642, KSA642G, KSB564A, KSB564AG, MPS6535, MPS6651, MPS6651G, MPS6652, MPS6652G, MPS750, MPS750G, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW51G, NTE193 o PN200.
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