Transistor bipolar 2SA1156N

Características del transistor 2SA1156N

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -400 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -400 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -0.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 10 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 30 a 60
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SA1156N

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SA1156N puede tener una ganancia de corriente de 30 a 60. La ganancia del 2SA1156 estará en el rango de 30 a 200, para el 2SA1156K estará en el rango de 100 a 200, para el 2SA1156L estará en el rango de 60 a 120, para el 2SA1156M estará en el rango de 40 a 80.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SA1156N puede estar marcado sólo como "A1156N".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SA1156N es el 2SC2752L.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SA1156N

Puede sustituir el 2SA1156N por el KSA1156 o KSA1156N.
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