Transistor bipolar 2SA1156N
Características del transistor 2SA1156N
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -400 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -400 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -0.5 A
- Disipación de Potencia Máxima: 10 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 30 a 60
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-126
Diagrama de pines del 2SA1156N
Clasificación de hFE
Marcado
Transistor NPN complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor 2SA1156N
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