Transistor bipolar 2N6052G
Características del transistor 2N6052G
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -12 A
- Disipación de Potencia Máxima: 150 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 750 a 18000
- Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
- Encapsulado: TO-3
- El 2N6052G es la versión sin plomo del transistor 2N6052
Diagrama de pines del 2N6052G
Sustitución y equivalentes para el transistor 2N6052G
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