Transistor bipolar 2N5830

Características del transistor 2N5830

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 120 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 0.6 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.625 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 80 a 500
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92

Diagrama de pines del 2N5830

El 2N5830 se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando hacia abajo, los tres cables que salen del transistor son, de izquierda a derecha, el emisor, la base y el colector.
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.
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