Transistor bipolar 2N5195G

Características del transistor 2N5195G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -4 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 20 a 80
  • Frecuencia máxima de trabajo: 2 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126
  • El 2N5195G es la versión sin plomo del transistor 2N5195

Diagrama de pines del 2N5195G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2N5195G es el 2N5192G.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2N5195G

Puede sustituir el 2N5195G por el 2N5195 o NTE185.
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