Bipolartransistor STR2550

Elektrische Eigenschaften des Transistors STR2550

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -500 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -500 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 300
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des STR2550

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der STR2550-Transistor ist als "2550" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum STR2550 ist der STR1550.
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