Bipolartransistor STN851

Elektrische Eigenschaften des Transistors STN851

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
  • Verlustleistung, max: 1.6 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 150 bis 350
  • Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-223

Pinbelegung des STN851

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der STN851-Transistor ist als "N851" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum STN851 ist der STN951.

Ersatz und Äquivalent für Transistor STN851

Sie können den Transistor STN851 durch einen NZT44H8 ersetzen.
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