Bipolartransistor NTE396

Elektrische Eigenschaften des Transistors NTE396

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 350 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 450 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
Verlustleistung, max: 5 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 160
Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
Gehäuse: TO-39

Pinbelegung des NTE396

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum NTE396 ist der NTE397.

Ersatz und Äquivalent für Transistor NTE396

Sie können den Transistor NTE396 durch einen 2N3439 ersetzen.

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