Bipolartransistor MPSL51

Elektrische Eigenschaften des Transistors MPSL51

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -4 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.2 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 60 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des MPSL51

Der MPSL51 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MPSL51 ist der MPSL01.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MPSL51

Sie können den Transistor MPSL51 durch einen 2SA709, KSP93 oder MPSA93 ersetzen.
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