Bipolartransistor MPS6717G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MPS6717G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 1 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 250
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2N6717 transistor
  • Der MPS6717G ist die bleifreie Version des MPS6717-Transistors

Pinbelegung des MPS6717G

Der MPS6717G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

SMD-Version des Transistors MPS6717G

Der FMMTA06 (SOT-23) und KST06 (SOT-23) ist die SMD-Version des MPS6717G-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MPS6717G

Sie können den Transistor MPS6717G durch einen 2SC1009, BC538, KSC1009, KSP06 oder MPS6717 ersetzen.
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