Bipolartransistor MPS6717G
Elektrische Eigenschaften des Transistors MPS6717G
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
- Verlustleistung, max: 1 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 250
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-92
- Electrically Similar to the Popular 2N6717 transistor
- Der MPS6717G ist die bleifreie Version des MPS6717-Transistors
Pinbelegung des MPS6717G
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
SMD-Version des Transistors MPS6717G
Ersatz und Äquivalent für Transistor MPS6717G
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