Bipolartransistor MMBT3904TT1G

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.2 A
• Verlustleistung, max: 0.15 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 300
• Übergangsfrequenz, min: 300 MHz
• Rauschzahl, max: 5 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-416
• Der MMBT3904TT1G ist die bleifreie Version des MMBT3904TT1-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der MMBT3904TT1G-Transistor ist als "AM" gekennzeichnet.Sie können den Transistor MMBT3904TT1G durch einen MMBT3904TT1 ersetzen.