Bipolartransistor MJD50
Elektrische Eigenschaften des Transistors MJD50
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 500 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
- Verlustleistung, max: 15 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 150
- Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-252
- Electrically Similar to the Popular TIP50 transistor
Pinbelegung des MJD50
Kennzeichnung
Ersatz und Äquivalent für Transistor MJD50
Bleifreie Version
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